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產(chǎn)品系列

羅斌森

  • CSD17579Q3AT

  • Manufacturer : Texas Instruments
    Packaging : Cut Tape (CT)
    Alternate Packaging
    Series : NexFET?
    Part Status : Active
    FET Type : N-Channel
    Technology : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 20A (Ta)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.2 mOhm @ 8A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id : 1.9V @ 250μA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 998pF @ 15V
    Power Dissipation (Max) : 3.2W (Ta), 29W (Tc)
    Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type : Surface Mount
    Supplier Device Package : 8-VSONP (3x3.15)
    Package / Case : 8-PowerVDFN

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VSP2212Y/2K TI 48-LQFP (7x7) New 詳細
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SN74AUC1G04YZAR TI 5-DSBGA, 5-WCSP (1.4x0.9) New 詳細
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